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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR30150FCT-BP
MBR30150FCT-BP PDF预览

MBR30150FCT-BP

更新时间： 2024-11-19 12:59:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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MBR30150FCT-BP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.65
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：260 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR30150FCT-BP 数据手册

 浏览型号MBR30150FCT-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30150FCT-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
MBR30150FCT  
Micro Commercial Components  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
30 Amp  
Schottky  
Barrier Rectifier  
150 Volts  
Features  
•
•
•
•
x
Low Power Loss, High Efficiency  
Guardring for overvoltage protection  
Low forward voltage drop  
High frequency operation  
For use in high frequency inverters, free wheeling and polarity  
protection applications  
x
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
ITO-220AB  
B
L
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
M
( TC = 25oC unless otherwise noted )  
C
D
Parameter  
Symbol  
MBR30150CT  
Unit  
A
K
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
150  
150  
150  
Volts  
Volts  
Volts  
PIN  
2
1
3
E
J
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward  
rectified current (See Fig. 1)  
Total device  
Per leg  
30  
15  
IF(AV)  
IFSM  
Amps  
Amps  
F
G
O
I
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method) per leg  
260  
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2.0us, 1KHz  
IRRM  
1.0  
Amp  
N
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10,000  
V/us  
H
H
Maximum instantaneous forward voltage per leg (Note 4)  
at IF=15A, TC=25oC  
0.90  
0.75  
0.99  
0.86  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
at IF=15A, TC=125oC  
VF  
Volt  
at IF=30A, TC=25oC  
at IF=30A, TC=125oC  
Maximum reverse current per TJ=25oC  
leg at working peak reverse  
voltage  
5.0  
1.0  
uA  
mA  
IR  
ꢁꢂꢃꢉꢄꢊꢂꢇꢄꢊ  
TJ=125oC  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
ꢃꢂꢄ  
MM  
Typical thermal resistance per leg  
RθJC  
VISOL  
MBR 1.7 / MBRF 4.0  
oC/W  
ꢁꢂꢃ  
A
B
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.50  
9.72  
ꢃꢅꢆ  
15.50  
10.27  
ꢄꢇꢈꢉ  
4500 (Note 1)  
3500 (Note 2)  
1500 (Note 3)  
.580  
.383  
.600  
.405  
RMS Isolation voltage (MBRF type only) from terminals  
to heatsink with t = 1.0 second, RH < 30%  
Volts  
oC  
C
D
E
.105  
.248  
.171  
.115  
.272  
.191  
2.45  
6.30  
4.35  
3.15  
6.90  
4.85  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
F
G
H
---  
.530  
.095  
.060  
.560  
.105  
---  
13.46  
2.41  
1.52  
14.22  
2.67  
Notes:  
1. Clip mounting (on case), where lead does not overlap heatsink with 0.110" offset  
2. Clip mounting (on case), where leads do overlap heatsink  
3. Screw mounting with 4-40 screw, where washer diameter is < 4.9 mm (0.19")  
4. Pulse test: 300us pulse width, 1% duty cycle  
I
J
.027  
.014  
.037  
.022  
0.69  
0.36  
0.94  
0.55  
K
.122  
.131  
3.08  
3.39  
L
M
N
.172  
.100  
.100  
.188  
.110  
.110  
4.36  
2.54  
2.54  
4.77  
2.80  
2.80  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 1  
2007/06/21  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR30150FCTH MCC

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MBR30150FCTH-BP MCC

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 		Rectifier Diode,
MBR30150FCTH-BP-HF MCC

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MBR30150FCTS YANGJIE

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MBR30150PT MCC

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