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MBR20200CTH

更新时间： 2024-11-19 14:51:59
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美微科 - MCC /
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MBR20200CTH 数据手册

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MBR20100CTH THRU MBR20200CTH  
Features  
• High Frequency Operation  
• High Current Capability, High Efficiency  
• Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"  
• Low Forward Voltage Drop  
• Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix Designates  
RoHS Compliant. See Ordering Information)  
20 Amp Schottky  
Barrier Rectifier  
100 to 200 Volts  
• Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
Maximum Ratings  
• Operating Junction Temperature Range: -55⁰C to +175⁰C  
• Storage Temperature Range: -55⁰C to +175⁰C  
• Typical Thermal Resistance : 2°C/W Junction to Case  
• Typical Thermal Resistance : 15°C/W Junction to Ambient  
TO-220AB  
Maximum  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum  
RMS  
Voltage  
C
B
F
DC  
Blocking  
Voltage  
MCC  
Device  
S
Q
Part Number  
Marking  
T
A
MBR20100CTH MBR20100CTH  
MBR20150CTH  
100V  
150V  
200V  
70V  
105V  
140V  
100V  
150V  
200V  
U
MBR20150CTH  
MBR20200CTH MBR20200CTH  
ꢁ
ꢀ
ꢂ
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
K
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
TC=140⁰C  
20A  
D
R
Peak Forward Surge  
Current  
J
L
G
V
IFSM  
150A  
8.3ms,Half Sine  
N
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
Case  
IFM=10A  
TA=25⁰C  
VF  
MBR20100CTH  
MBR20150CTH  
MBR20200CTH  
0.82V  
0.85V  
0.9V  
DIMENSIONS  
INCHES MM  
MIN MAX MIN MAX  
DIM  
NOTE  
TA=25⁰C;  
TA=90⁰C  
TA=125⁰C  
0.01mA  
0.15mA  
1.5mA  
Maximum DC Reverse  
Current at Rated DC  
Blocking Voltage(Note 2)  
A
B
C
D
F
G
H
J
0.560 0.625 14.22 15.88  
0.380 0.429 9.65 10.90  
0.140 0.201 3.56 5.10  
0.020 0.045 0.51 1.14  
0.131 0.170 3.34 4.31  
0.079 0.121 2.01 3.07  
----- 0.250 ----- 6.35  
0.011 0.025 0.28 0.64  
0.500 0.580 12.70 14.73  
0.045 0.060 1.14 1.52  
0.158 0.242 4.02 6.14  
0.087 0.135 2.22 3.43  
0.080 0.126 2.04 3.19  
0.045 0.055 1.14 1.39  
0.230 0.270 5.84 6.86  
----- 0.050 ----- 1.27  
IR  
Typical Junction  
Capacitance  
Φ
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
250pF  
200pF  
150pF  
CJ  
MBR20100CTH  
MBR20150CTH  
MBR20200CTH  
K
L
Voltage Rate of Change  
(Rated VR)  
N
Q
R
S
T
dV/dt  
ERSM  
EAS  
10,000V/uS  
20mJ  
Peak Non-repetitive  
Reverse Surge Energy  
Per Diode, 8/20 μs  
Waveform  
U
V
Non-repetitive  
Avalanche Energy  
Per Diode at 25°C,  
IAS=2.0A, L=10mH  
0.045 ----- 1.15  
-----  
20mJ  
Note :1. High Temperature Solder Exemption Applied, See EU Directive Annex 7a.  
2.Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
Rev.3-3-12012020  
1/3  
MCCSEMI.COM  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR20200CT-J LGE

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 		20A High Power Schottky Barrier Rectifiers
MBR20200CTP ONSEMI

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 		10A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, CASE 221A-09, 4 PIN
MBR20200CTR THINKISEMI

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 		20 Amperes Heat Sink Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers
MBR20200CTS MCC

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MBR20200CTS YANGJIE

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 		TO-220AB
MBR20200CTTU ONSEMI

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 		Schottky Barrier Rectifier, 200 V, 20 A, 1000-TUBE
MBR20200CT-Y TSC

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 		Dual Common Cathode Schottky Rectifier
MBR20200D SECOS

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MBR20200D1 SECOS

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 		20.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers
MBR20200D1-C SECOS

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 		20.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers

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