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MBR20200CTP PDF预览

MBR20200CTP

更新时间： 2024-11-20 21:22:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
10A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, CASE 221A-09, 4 PIN

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MBR20200CTP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.06应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MBR20200CTP 数据手册

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MBR20200CTP  
SWITCHMODE Power  
Dual Schottky Rectifier  
. . . using Schottky Barrier technology with a platinum barrier metal.  
This state–of–the–art device is designed for use in high frequency  
switching power supplies and converters with up to 48 volt outputs.  
They block up to 200 volts and offer improved Schottky performance at  
frequencies from 250 kHz to 5.0 MHz.  
http://onsemi.com  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
• 200 Volt Blocking Voltage  
• Low Forward Voltage Drop  
• Guardring for Stress Protection and High dv/dt Capability  
(10,000 V/µs)  
20 AMPERES  
200 VOLTS  
• Dual Diode Construction – Terminals 1 and 3 Must be Connected for  
Parallel Operation at Full Rating  
1
2, 4  
Mechanical Characteristics  
3
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 1.9 grams (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
4
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
• Shipped 50 units per plastic tube  
• Marking: B20200P  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS (Per Leg)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
CASE 221A  
TO–220AB  
PLASTIC  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
200  
V
RRM  
RWM  
R
MARKING DIAGRAM  
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 125°C)  
Per Leg  
10  
20  
R
C
Per Package  
Peak Repetitive Forward Current  
(Rated V , Square Wave, 20 kHz,  
I
20  
FRM  
R
YY WW  
B20200P  
AKA  
T
C
= 90°C)  
Per Leg  
Non–Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
FSM  
Peak Repetitive Reverse Surge  
Current (2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
1.0  
A
RRM  
YY  
WW  
= Year  
= Work Week  
B20200P= Device Code  
AKA = Diode Polarity  
Storage Temperature Range  
T
–65 to +175  
–65 to +150  
10,000  
°C  
°C  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ms  
R
ORDERING INFORMATION  
Device  
MBR20200CTP  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
TO–220  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 2  
MBR20200CTP/D  
1234

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