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MBM29LV016B-80PTN

更新时间： 2024-11-10 23:05:43

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富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
52页	573K
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16M (2M x 8) BIT

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MBM29LV016B-80PTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.61	最长访问时间：	80 ns
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,31
端子数量：	40	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20855-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8) BIT

MBM29LV016T^-80/-90/-12/MBM29LV016B^-80/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K byte sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data and/or program in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection set function by Extended sector protect command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

• In accordance with CFI (Common Flash Memory Interface)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV016B-80PTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016B-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016B-90PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV016B-90PTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016B-90PTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016B-90PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV016T	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV016T-12PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40

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