5秒后页面跳转
MBM29LV016T-90PFTR PDF预览

MBM29LV016T-90PFTR

更新时间: 2024-11-11 21:05:27
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 1801K
描述
Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40

MBM29LV016T-90PFTR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:90 ns其他特性:100K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN
启动块:TOPJESD-30 代码:R-PDSO-G40
长度:18.4 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-20 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

MBM29LV016T-90PFTR 数据手册

 浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29LV016T-90PFTR的Datasheet PDF文件第7页 

与MBM29LV016T-90PFTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29LV016T-90PTN FUJITSU

获取价格

16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-90PTN-E1 SPANSION

获取价格

Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV016T-90PTR FUJITSU

获取价格

16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-90PTR-E1 SPANSION

获取价格

Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV017 FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12 FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PBT FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PBT-SF2 FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PTN FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PTR FUJITSU

获取价格

16M (2M X 8) BIT