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MBM29LV016T-90PFTN

更新时间： 2024-11-11 13:11:11

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
52页	573K
描述
Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

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MBM29LV016T-90PFTN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	100K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20855-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8) BIT

MBM29LV016T^-80/-90/-12/MBM29LV016B^-80/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K byte sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data and/or program in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection set function by Extended sector protect command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

• In accordance with CFI (Common Flash Memory Interface)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...52

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与MBM29LV016T-90PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV016T-90PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV016T-90PTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-90PTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV016T-90PTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-90PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV017	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PBT	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PBT-SF2	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29LV017-12PTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT

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