Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29LV016B-90PTR

MBM29LV016B-90PTR

更新时间： 2024-11-10 23:05:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
52页	573K
描述
16M (2M x 8) BIT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM29LV016B-90PTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	40
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV016B-90PTR 数据手册

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MBM29LV016B-90PTR的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20855-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8) BIT

MBM29LV016T^-80/-90/-12/MBM29LV016B^-80/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K byte sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data and/or program in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection set function by Extended sector protect command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

• In accordance with CFI (Common Flash Memory Interface)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...52

中文翻译

下载PDF

与MBM29LV016B-90PTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV016B-90PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV016T	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV016T-12PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV016T-12PTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12PTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-12PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV016T-80	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT
MBM29LV016T-80PTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8) BIT

与MBM29LV016B-90PTR相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29LV016B-90PTR

MBM29LV016B-90PTR 技术参数

MBM29LV016B-90PTR 数据手册

与MBM29LV016B-90PTR相关器件

与MBM29LV016B-90PTR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29LV016B-90PTR

MBM29LV016B-90PTR 技术参数

MBM29LV016B-90PTR 数据手册

与MBM29LV016B-90PTR相关器件

与MBM29LV016B-90PTR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？