是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.25 | 最长访问时间: | 120 ns |
备用内存宽度: | 8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 9 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29DL162TD-12PBT | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, | |
MBM29DL162TD-12PFTN | FUJITSU |
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Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29DL162TD12PFTR | FUJITSU |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29DL162TD-12PFTR | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, | |
MBM29DL162TD-70PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162TD-70PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162TD-70PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162TD-90PBT | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162TD-90PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162TD-90PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |