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MBM29DL162TD-12PFTN

更新时间： 2024-11-20 14:43:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
76页	1146K
描述
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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MBM29DL162TD-12PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.8	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29DL162TD-12PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20874-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT ^{Dual Operation}

MBM29DL16XTD/BD^-70/90/12

■ FEATURES

• 0.33 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write operations (dual bank)

Multiple devices available with different bank sizes (Refer to Table 1)

Host system can program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from the other bank

Zero latency between read and write operations

Read-while-erase

Read-while-program

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL16XTD/MBM29DL16XBD

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

48-pin plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-48P-M13)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...76

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与MBM29DL162TD-12PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL162TD12PFTR	FUJITSU	获取价格	1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL162TD-12PFTR	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48,
MBM29DL162TD-70PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TD-70PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TD-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TD-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TD-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TD-90PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TE	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL162TE-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation

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