5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,31 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 8K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 6 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29DL162TE-70PBT-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 |
|
| MBM29DL162TE70PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE70PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE70TN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE-70TN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE-70TN | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29DL162TE-70TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29DL162TE70TR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE-70TR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
|
| MBM29DL162TE-70TR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
