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MB84VD22191EC

更新时间： 2024-11-23 11:50:07

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富士通 - FUJITSU		存储
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61页	1478K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM

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MB84VD22191EC 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50204-2E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &

4M (× 8/×16) STATIC RAM

MB84VD2218XEC^-90/MB84VD2219XEC^-90

MB84VD2218XEE^-90/MB84VD2219XEE^-90

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.3 V

• High performance

90 ns maximum access time (Flash)

85 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

–25 to +85°C

• Package 73-ball BGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Flash Memory

SRAM

+0.3 V

–0.3 V

Ordering Part No.

MB84VD2218XEC/EE-90/MB84VD2219XEC/EE-90

V^CCf, V^CCs = 3.0 V

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGE

73-ball plastic BGA

(BGA-73P-M01)

12 3 4 5 6 7...61

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