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MB84VD22191EC-90-PBS

更新时间: 2024-11-19 11:53:19
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富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
61页 1478K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM

MB84VD22191EC-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA73,10X12,32
针数:73Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.26
最长访问时间:90 ns其他特性:256K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码:R-PBGA-B73JESD-609代码:e0
长度:11.6 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
混合内存类型:FLASH+SRAM功能数量:1
端子数量:73字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA73,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.4 mm
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.053 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

MB84VD22191EC-90-PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50204-2E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &  
4M (× 8/×16) STATIC RAM  
MB84VD2218XEC-90/MB84VD2219XEC-90  
MB84VD2218XEE-90/MB84VD2219XEE-90  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
85 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25 to +85°C  
• Package 73-ball BGA  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3 V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD2218XEC/EE-90/MB84VD2219XEC/EE-90  
VCCf, VCCs = 3.0 V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
40  
85  
85  
45  
PACKAGE  
73-ball plastic BGA  
(BGA-73P-M01)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MB84VD22191FM-70 SPANSION

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