Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> MB84VD22191EH-90-PBS

MB84VD22191EH-90-PBS

更新时间： 2024-11-22 22:09:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
63页	1270K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MB84VD22191EH-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TFBGA, BGA71,8X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	256K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B71
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA71,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.053 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

MB84VD22191EH-90-PBS 数据手册

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MB84VD22191EH-90-PBS的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50206-1E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &

4M (× 8/×16) STATIC RAM

MB84VD2218XEG^-90/MB84VD2219XEG^-90

MB84VD2218XEH^-90/MB84VD2219XEH^-90

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 V to 3.3 V

• High performance

90 ns maximum access time (Flash)

85 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

–25°C to +85°C

• Package 71-ball BGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Flash Memory

SRAM

+0.3 V

–0.3 V

Ordering Part No.

MB84VD2218XEG/EH-90/MB84VD2219XEG/EH-90

V^CCf,V^CCs = 3.0 V

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGE

71-ball plastic FBGA

(BGA-71P-M02)

12 3 4 5 6 7...63

中文翻译

下载PDF

与MB84VD22191EH-90-PBS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB84VD22191FM-70	SPANSION	获取价格	32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM
MB84VD22191FM-70PBS	SPANSION	获取价格	32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM
MB84VD22192EA-70PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, BGA-71
MB84VD22192EB-85PBS	FUJITSU	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73
MB84VD22192EB-85-PBS	FUJITSU	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73
MB84VD22192EC	FUJITSU	获取价格	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
MB84VD22192EC-90	FUJITSU	获取价格	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
MB84VD22192EC-90-PBS	FUJITSU	获取价格	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
MB84VD22192EE	FUJITSU	获取价格	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
MB84VD22192EE-85PBS	FUJITSU	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73

与MB84VD22191EH-90-PBS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB84VD22191EH-90-PBS

MB84VD22191EH-90-PBS 技术参数

MB84VD22191EH-90-PBS 数据手册

与MB84VD22191EH-90-PBS相关器件

与MB84VD22191EH-90-PBS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB84VD22191EH-90-PBS

MB84VD22191EH-90-PBS 技术参数

MB84VD22191EH-90-PBS 数据手册

与MB84VD22191EH-90-PBS相关器件

与MB84VD22191EH-90-PBS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？