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Datasheet > 消费电路 > 音频控制集成电路> MAX9796EBX+T
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MAX9796EBX+T

更新时间： 2024-02-28 20:56:26
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 音频控制集成电路消费电路商用集成电路放大器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
27页 359K
描述
2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem with DirectDrive Headphone Amplifiers

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MAX9796EBX+T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA36,6X6,20针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.75
Is Samacsys：N信道分离：75 dB
商用集成电路类型：VOLUME CONTROL CIRCUITJESD-30 代码：S-PBGA-B36
JESD-609代码：e3长度：3.06 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：1端子数量：36
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA36,6X6,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.67 mm子类别：Audio/Video Amplifiers
最大压摆率：21 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.06 mm
Base Number Matches：1

MAX9796EBX+T 数据手册

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2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem  
with DirectDrive Headphone Amplifiers  
Typical Operating Characteristics (continued)  
2
(V  
= PV  
= CPV  
= 3.3V, GND = PGND = CPGND = 0V, SHDN = V , I C settings (INA gain = +20dB, INB gain = INC gain =  
DD  
DD  
DD  
DD  
0dB, volume setting = 0dB, mono path gain = 0dB, SHDN = 1, SSM = 1). C1 = C2 = C3 = 1µF. Speaker load resistors (R  
) are ter-  
LSP  
minated between OUT+ and OUT-, headphone load resistors are terminated to GND, unless otherwise noted.)  
EFFICIENCY  
vs. OUTPUT POWER  
EFFICIENCY  
vs. OUTPUT POWER  
OUTPUT POWER  
vs. SUPPLY VOLTAGE  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
R = 4Ω  
f = 1kHz  
L
R = 8Ω  
L
R = 8Ω  
L
MAX796  
THD+N = 10%  
R = 4Ω  
L
R = 4Ω  
L
THD+N = 1%  
V
= 5V  
DD  
V
= 3.3V  
DD  
f = 1kHz  
f = 1kHz  
0
1
2
3
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
100  
20k  
OUTPUT POWER (W)  
OUTPUT POWER (W)  
SUPPLY VOLTAGE (V)  
OUTPUT POWER  
vs. SUPPLY VOLTAGE  
OUTPUT POWER  
vs. LOAD  
OUTPUT POWER  
vs. LOAD  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
R = 8Ω  
f = 1kHz  
V
= 5V  
V
= 3.3V  
DD  
f = 1kHz  
L
DD  
f = 1kHz  
THD+N = 10%  
THD+N = 10%  
THD+N = 10%  
THD+N = 1%  
THD+N = 1%  
THD+N = 1%  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
1
10  
1
10  
100  
SUPPLY VOLTAGE (V)  
LOAD (Ω)  
LOAD (Ω)  
POWER-SUPPLY REJECTION RATIO  
vs. FREQUENCY  
INBAND OUTPUT SPECTRUM  
INBAND OUTPUT SPECTRUM  
20  
0
20  
0
0
FIXED-FREQUENCY MODULATION MODE  
V
V
= 3.3V  
RIPPLE  
FIXED-FREQUENCY MODULATION MODE  
R = 8Ω  
= 5V  
DD  
f = 1kHz  
DD  
-10  
-20  
R = 8Ω  
L
= 100mV  
P-P  
L
V
= 5V  
DD  
R = 8Ω  
L
V
-20  
-40  
-60  
-80  
-100  
-120  
-140  
-20  
-40  
-60  
-80  
-100  
-120  
-140  
-30  
f = 1kHz  
UNWEIGHTED  
A-WEIGHTED  
-40  
V
= -60dBV  
OUT  
V
= -60dBV  
OUT  
-50  
-60  
-70  
-80  
-90  
-100  
-110  
-120  
0
5k  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
15k  
20k  
0
5k  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
15k  
10  
100  
1k  
FREQUENCY (Hz)  
10k  
100k  
8
_______________________________________________________________________________________  
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