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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 最大击穿电压： | 126 V | 最小击穿电压： | 114 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AL | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.13 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 102 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAP4KE120CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 102V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MAP4KE120CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 102V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MAP4KE120CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MAP4KE120CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE120CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE120E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MAP4KE120E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE120TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12A | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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