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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-609代码： | e3 |
| 端子面层： | MATTE TIN | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAP4KE120E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE120TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 97.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12A | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12AE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE12C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 9.72V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE12CA | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE12CAE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE12CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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