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MAC4DSN-1G PDF预览

MAC4DSN-1G

更新时间： 2024-11-28 14:53:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
8页 148K
描述
4.0 A Sensitive Gate Triac, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE

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MAC4DSN-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.25外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：10 mA最大直流栅极触发电压：1.3 V
最大维持电流：15 mAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.01 mA
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

MAC4DSN-1G 数据手册

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MAC4DSM, MAC4DSN  
Preferred Device  
Triacs  
Silicon Bidirectional Thyristors  
Designed for high volume, low cost, industrial and consumer  
applications such as motor control; process control; temperature, light  
and speed control.  
http://onsemi.com  
Features  
TRIACS  
4.0 AMPERES RMS  
600 − 800 VOLTS  
• Small Size Surface Mount DPAK Package  
• Passivated Die for Reliability and Uniformity  
• Blocking Voltage to 800 V  
• On−State Current Rating of 4.0 Amperes RMS at 108°C  
• Low IGT − 10 mA Maximum in 3 Quadrants  
• High Immunity to dv/dt − 50 V/ꢀ s at 125°C  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
MT2  
MT1  
G
MARKING  
DIAGRAMS  
• Pb−Free Packages are Available  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 6  
J
YWW  
AC  
4DSxG  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
1
Peak Repetitive Off−State Voltage  
V
DRM,  
V
3
(Note 1) (T = −40 to 125°C, Sine  
V
RRM  
J
Wave, 50 to 60 Hz, Gate Open)  
4
MAC4DSM  
MAC4DSN  
600  
800  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 6  
YWW  
AC  
4DSxG  
On−State RMS Current  
(Full Cycle Sine Wave, 60 Hz,  
= 108°C)  
I
4.0  
A
A
T(RMS)  
1
T
C
2
3
Peak Non-Repetitive Surge Current  
(One Full Cycle Sine Wave, 60 Hz,  
T = 125°C)  
J
I
TSM  
40  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
AC4DSx = Device Code  
x= M or N  
2
2
Circuit Fusing Consideration  
(t = 8.3 msec)  
I t  
6.6  
2.0  
1.0  
4.0  
5.0  
A sec  
G
= Pb−Free Package  
Peak Gate Power  
P
GM  
W
W
A
(Pulse Width ≤ 10 ꢀ sec, T = 108°C)  
C
Average Gate Power  
P
G(AV)  
PIN ASSIGNMENT  
Main Terminal 1  
Main Terminal 2  
Gate  
(t = 8.3 msec, T = 108°C)  
C
1
Peak Gate Current  
I
GM  
2
3
4
(Pulse Width ≤ 20 ꢀ sec, T = 108°C)  
C
Peak Gate Voltage  
V
GM  
V
(Pulse Width ≤ 20 ꢀ sec, T = 108°C)  
C
Main Terminal 2  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to 125  
−40 to 150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Blocking  
DRM  
RRM  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the device are exceeded.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 6  
MAC4DSM/D  
 
12345678

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MAC4DSN-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MAC4DSN-001 ONSEMI

完全替代

 Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

与MAC4DSN-1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MAC4DSNT4 ONSEMI

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 		Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC4DSNT4 MOTOROLA

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS, DPAK-3
MAC4DSNT4G ONSEMI

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 		Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC4DSNT4G LITTELFUSE

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 		该三端双向可控硅专门用于高容量、低成本的工业和消费应用，例如电机控制、过程控制以及温度、光
MAC4M ONSEMI

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 		TRIACS, Silicon Bidirectional Thyristors
MAC4MG ONSEMI

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 		600V, 4A, TRIAC, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
MAC4N ONSEMI

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 		TRIACS, Silicon Bidirectional Thyristors
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 		SENSITIVE GATE TRIACS
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 		SENSITIVE GATE TRIACS
MAC50 ETC

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