MA742H

更新时间： 2024-09-16 13:01:31

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松下 - PANASONIC		二极管
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4页	73K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon

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MA742H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA742H 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3J742 (MA742)

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

+0.1

–0

+0.1

For switching

0.3

0.15

–0.05

I Features

•

Two MA3X716 (MA716) is contained in one package (series

connection)

(0.65)(0.65)

•

0.9 ^0.1

Low forward voltage V_F, optimum for low voltage rectification

Optimum for high frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

1.3 0.1

2.0 ^0.2

5°

•

S-Mini type 3-pin package

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC) Single

Series ^*

Symbol

V_R

Rating

Unit

1 : Anode 1

2 : Cathode 2

3 : Cathode 1

Anode 2

V_RM

I_F

SMini3-F1 Package

Marking Symbol: M1U

ꢀ

Peak forward current Single

Series ^*

I_FM

150

Internal Connection

110

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

Note) : Value per chip

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.4

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 GHz

3. : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

Output Pulse

t_rr

t_p

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: August 2001

SKH00056AED

12 3 4

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与MA742H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA7430	PANASONIC	获取价格	Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, DO-41-
MA743H	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon,
MA743TX	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon,
MA744	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA744H	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon
MA744TX	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon
MA745	PANASONIC	获取价格	Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA745H	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon
MA745TX	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon
MA745WA	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F

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