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MA745WKTX PDF预览

MA745WKTX

更新时间： 2024-09-16 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon

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MA745WKTX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.84
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.03 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.001 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MA745WKTX 数据手册

 浏览型号MA745WKTX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA745WKTX的Datasheet PDF文件第3页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3J745 (MA745)  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.1  
–0  
+0.1  
For switching  
0.3  
0.15  
–0.05  
3
I Features  
•
•
•
Low forward voltage VF , optimum for low voltage rectification  
Low VF type of MA3X704A (MA704A)  
Optimum for high frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
1
2
(0.65)(0.65)  
0.9 0.1  
1.3 0.1  
2.0 0.2  
•
S-Mini type 3-pin package  
5°  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Forward current (DC)  
Peak forward current  
Junction temperature  
Storage temperature  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
30  
1 : Anode  
2 : N.C.  
3 : Cathode  
VRM  
IF  
30  
30  
V
mA  
mA  
°C  
SMini3-F1 Package  
IFM  
150  
Marking Symbol: M2M  
Tj  
125  
Internal Connection  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
3
1
2
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
µA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.3  
1.0  
IF = 30 mA  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1.0  
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak) , f = 30 MHz  
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
65  
%
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 GHz  
3. : trr measuring instrument  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
Output Pulse  
trr  
tp  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: August 2001  
SKH00058AED  
1
123

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与MA745WKTX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA746 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA746H PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, Silicon
MA746TX PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, Silicon
MA7470 PANASONIC

获取价格

 		Zener Diode, 47V V(Z), 6.38%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, DO-41-
MA747C NXP

获取价格

 		Dual operational amplifier
MA747CN NXP

获取价格

 		Dual operational amplifier
MA74FAA MTRONPTI

获取价格

 		14 pin DIP, 5.0 Volt, ACMOS/TTL, Clock Oscillator
MA74FAA133.000 MTRONPTI

获取价格

 		Oscillator
MA74FAA133.0000MHZ MTRONPTI

获取价格

 		ACMOS/TTL Output Clock Oscillator, 133MHz Nom, DIP-14/4
MA74FAA133.000MHZ MTRONPTI

获取价格

 		Oscillator

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