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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, SO-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.445 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3 mm |
| 最大待机电流： | 0.000009 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 11.305 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AW511AM55MC6 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| M68AW511AM55MC6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM55NC1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM55NC6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM70MC1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM70MC6 | STMICROELECTRONICS |
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512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, SO-32 |
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| M68AW511AM70MC6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM70NC1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW511AM70NC6T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AW512 | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM |
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