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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 静态存储器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
22页 | 338K | |
描述 | ||
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000009 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.026 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M68AW128ML55ND6T | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML55ZB1 | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML55ZB1E | STMICROELECTRONICS |
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M68AW128ML55ZB1F | STMICROELECTRONICS |
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M68AW128ML55ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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M68AW128ML55ZB6 | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML55ZB6E | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML55ZB6F | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML55ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW128ML70ND1 | STMICROELECTRONICS |
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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |