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M68AW128ML55ND6T

更新时间： 2024-11-20 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 338K
描述
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

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M68AW128ML55ND6T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：PLASTIC, TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.89Is Samacsys：N
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000009 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.026 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M68AW128ML55ND6T 数据手册

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M68AW128M  
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
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■
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
44  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
1
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
PACKAGES  
TSOP44 Type II (ND)  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
–
Lead-Free Versions  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
6 x 8mm  
September 2004  
1/22  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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