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M68AW128ML70ND6E

更新时间： 2024-11-20 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 338K
描述
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

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M68AW128ML70ND6E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000009 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M68AW128ML70ND6E 数据手册

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M68AW128M  
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
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SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
44  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
1
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
PACKAGES  
TSOP44 Type II (ND)  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
–
Lead-Free Versions  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
6 x 8mm  
September 2004  
1/22  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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