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M5M5W816TP-85HI

更新时间： 2024-09-25 22:19:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 71K
描述
8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5W816TP-85HI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.64Is Samacsys：N
最长访问时间：85 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00003 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M5W816TP-85HI 数据手册

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2001.4.11  
Ver. 2.0  
MITSUBISHI LSIs  
M5M5W816TP-70HI, 85HI  
PRELIMINARY  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change  
8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM  
Those are summarized in the part name table below.  
FEATURES  
DESCRIPTION  
- Single 2.7~3.0V power supply  
The M5M5W816TP is a f amily of low v oltage 8-Mbit static  
RAMs organized as 524288-words by 16-bit, f abricated by  
Mitsubishi's high-performance 0.18µm CMOS technology .  
The M5M5W816TP is suitable for memory applications  
where a simple interf acing , battery operating and battery  
backup are the important design objectiv es.  
- Small stand-by current: 0.2µA (3.0V, ty p.)  
- No clocks, No ref resh  
- Data retention supply v oltage =2.0V  
- All inputs and outputs are TTL compatible.  
- Easy memory expansion by S#, BC1# and BC2#  
- Common Data I/O  
The M5M5W816TP is packaged in a 44pin thin small  
outline mount dev ice, with the outline of 400mil TSOP  
TYPE(II). It giv es the best solution for a compaction of  
mounting area as well as f lexibility of wiring pattern of  
printed circuit boards.  
- Three-state outputs: OR-tie capability  
- OE# prev ents data contention in the I/O bus  
- Process technology: 0.18µm CMOS  
- Package: 44pin 400mil TSOP TYPE(II)  
The operating temperature range is -40~+85°C  
Activ e  
Stand-by current  
Ratings (max.)  
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C  
Version,  
Power  
Access time  
max.  
current  
Icc1  
*(ty p.)  
* Ty pical  
Part name  
Operating  
Supply  
temperature  
40mA  
(10MHz)  
5mA  
70ns  
85ns  
M5M5W816TP -70HI  
M5M5W816TP -85HI  
I-version  
-40~+85°C  
0.5  
1.0  
2.7~3.0V  
2
4
20  
40  
(1MHz)  
* Typical parameter indicates the value for the  
center of distribution, and not 100% tested.  
PIN CONFIGURATION  
1
44  
43  
A4  
A3  
A5  
A6  
2
3
42  
41  
A2  
A1  
A0  
S#  
DQ1  
DQ2  
A7  
OE#  
4
5
40  
39  
38  
37  
BC2#  
BC1#  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
6
7
Pin  
Function  
8
A0 ~ A18 Address input  
9
36  
35  
DQ3  
DQ4  
10  
DQ1 ~ DQ16  
Data input / output  
Chip select input  
34  
33  
32  
31  
VCC  
GND  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
11  
12  
GND  
VCC  
S#  
W#  
Write control input  
Output enable input  
Lower By te (DQ1 ~ 8)  
Upper By te (DQ9 ~ 16)  
Power supply  
13  
14  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
A18  
OE#  
15  
16  
30  
29  
BC1#  
BC2#  
Vcc  
DQ8  
W #  
A15  
28  
27  
17  
18  
A8  
26  
25  
19  
20  
A14  
A13  
A12  
A9  
A10  
GND  
Ground supply  
44Pin 400mil TSOP  
Outline: 44P3W  
NC: No Connection  
21  
22  
24  
23  
A11  
A17  
A16  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1
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与M5M5W816TP-85HI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5W816WG RENESAS

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 		8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
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 		512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 7.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, CSP-48
M5M5W816WG-70HI RENESAS

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