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M5M5W816WG-55HI#BT

更新时间： 2024-09-26 13:10:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 155K
描述
512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 7.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, CSP-48

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M5M5W816WG-55HI#BT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：7.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, CSP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.74
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

M5M5W816WG-55HI#BT 数据手册

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To all our customers  
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi  
Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp.  
The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas  
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog  
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)  
Accordingly, although Mitsubishi Electric, Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi  
Semiconductors, and other Mitsubishi brand names are mentioned in the document, these names  
have in fact all been changed to Renesas Technology Corp. Thank you for your understanding.  
Except for our corporate trademark, logo and corporate statement, no changes whatsoever have been  
made to the contents of the document, and these changes do not constitute any alteration to the  
contents of the document itself.  
Note : Mitsubishi Electric will continue the business operations of high frequency & optical devices  
and power devices.  
Renesas Technology Corp.  
Customer Support Dept.  
April 1, 2003  
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