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M5M5W816WG-70HI

更新时间： 2024-09-25 22:19:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 104K
描述
8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5W816WG-70HI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.62Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00003 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

M5M5W816WG-70HI 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
2001.6.11  
Ver. 3.1  
M5M5W816WG - 70HI, 85HI  
PRELIMINARY  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change  
8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The M5M5W816 is a family of low v oltage 8-Mbit static RAMs  
organized as 524288-words by 16-bit, f abricated by Mitsubishi's  
high-perf ormance 0.18µm CMOS technology .  
- Single 2.7~3.0V power supply  
- Small stand-by current: 0.1µA (2V, ty p.)  
- No clocks, No ref resh  
The M5M5W816 is suitable for memory applications where a  
simple interfacing , battery operating and battery backup are the  
important design objectiv es.  
- Data retention supply v oltage =2.0V  
- All inputs and outputs are TTL compatible.  
- Easy memory expansion by S1#, S2, BC1#  
and BC2#  
M5M5W816WG is packaged in a CSP (chip scale package),  
with the outline of 7.5mm x 8.5mm, ball matrix of 6 x 8 (48ball)  
and ball pitch of 0.75mm. It giv es the best solution f or a  
compaction of mounting area as well as f lexibility of wiring pattern  
of printed circuit boards.  
- Common Data I/O  
- Three-state outputs: OR-tie capability  
- OE prev ents data contention in the I/O bus  
- Process technology: 0.18µm CMOS  
- Package: 48ball 7.5mm x 8.5mm CSP  
Those are summarized in the part name table below.  
Activ e  
(µA @ Vcc=3.0V)  
Stand-by current  
Ratings (max.)  
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C  
Version,  
Power  
Access time  
max.  
current  
Icc1  
* ( ty p.)  
* Ty pical  
Part name  
Operating  
Supply  
temperature  
40mA  
(10MHz)  
10mA  
70ns  
85ns  
M5M5W816WG -70HI  
M5M5W816WG -85HI  
I-version  
-40 ~ +85°C  
1.0  
20  
40  
2
4
2.7 ~ 3.0V  
0.5  
(1MHz)  
* Typical parameter indicates the value for the center  
of distribution, and is not 100% tested.  
PIN CONFIGURATION  
(TOP VIEW)  
1
2
3
4
5
6
A0  
BC1#  
DQ16  
DQ14  
GND  
A1  
A2  
S2  
O E #  
A
B
C
D
E
F
A3  
A5  
A4  
A6  
D Q 1  
S1#  
BC2#  
DQ15  
DQ13  
DQ12  
DQ10  
Pin  
Function  
D Q 3  
VCC  
GND  
D Q 2  
A0 ~ A18 Address input  
DQ1 ~ DQ16  
S1#  
Data input / output  
Chip select input 1  
Chip select input 2  
Write control input  
Output enable input  
Lower By te (DQ1 ~ 8)  
Upper By te (DQ9 ~ 16)  
Power supply  
A17  
A7  
D Q 4  
D Q 5  
NC or  
GND  
S2  
VCC  
A16  
A15  
A13  
W#  
D Q 11  
A14  
A12  
A9  
D Q 7  
D Q 6  
D Q 8  
N.C.  
OE#  
BC1#  
BC2#  
Vcc  
D Q 9  
A18  
N.C.  
A8  
W #  
G
H
A10  
A11  
GND  
Ground supply  
Outline : 48F7Q  
NC : No Connection  
*Don't connect E3 ball to voltage level more than 0V  
1
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...10

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与M5M5W816WG-70HI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5W816WG-85H MITSUBISHI

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 		8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
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