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M5M4V17805CJ-6ST

更新时间： 2024-11-27 04:00:03

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	763K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28

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M5M4V17805CJ-6ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.37
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	3.55 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4V17805CJ-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
M5M4V17805CTP-5ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V17805CTP-5T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V17805CTP-6	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V17805CTP-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V17805CTP-6ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V17805CTP-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
M5M4V18160BJ-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M4V18160BJ-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M4V18160BJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42