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M5M4V18160CJ-7

更新时间： 2024-01-15 01:27:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	98K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42

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M5M4V18160CJ-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.49
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	长度：	27.3 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	42
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.55 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M4V18160DJ-5	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42	获取价格
M5M4V18160DJ-7	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42	获取价格
M5M4V18165BJ-6S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-7	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-7T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-8S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格