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M5M4V18165BJ-8S

更新时间： 2024-01-23 21:50:07

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	1062K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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M5M4V18165BJ-8S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.3 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.55 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M4V18165BJ-8ST	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-8T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BTP-8S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44	获取价格
M5M4V18165BTP-8T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44	获取价格
M5M4V18165CJ-6	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165CJ-6S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格