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M5M4V4100RT-8T

更新时间: 2024-11-27 06:09:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 745K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

M5M4V4100RT-8T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2-R,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:17.14 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm

M5M4V4100RT-8T 数据手册

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