Datasheet > M5M4V18165BJ-7

M5M4V18165BJ-7

更新时间： 2024-02-22 22:17:08

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	1062K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M5M4V18165BJ-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.39
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.3 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

12 3 4 5 6 7...30

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M4V18165BJ-7T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-8S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-8ST	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BJ-8T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
M5M4V18165BTP-8S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44	获取价格
M5M4V18165BTP-8T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44	获取价格