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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ42,.44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 50 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J42 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ42,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M4V18160DJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42 |
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| M5M4V18165BJ-6S | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BJ-7T | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BJ-8S | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BJ-8ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BJ-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| M5M4V18165BTP-8S | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44 |
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| M5M4V18165BTP-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP-50/44 |
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| M5M4V18165CJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42 |
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