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M5M4V18160BRT-7T

更新时间: 2024-01-17 07:39:26
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 981K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

M5M4V18160BRT-7T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.71
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M5M4V18160BRT-7T 数据手册

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