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M59MR032C100GC6T

更新时间： 2024-09-25 20:34:19

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
49页	352K
描述
Flash, 2MX16, 14ns, PBGA46, 0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46

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M59MR032C100GC6T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46	针数：	46
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.6
最长访问时间：	14 ns	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B46	长度：	10.53 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	46	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	6.29 mm
Base Number Matches：	1

M59MR032C100GC6T 数据手册

M59MR032C

M59MR032D

32 Mbit (2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst)

1.8V Supply Flash Memory

■ SUPPLY VOLTAGE

– V = V = 1.65V to 2.0V for Program,

DDQ

Erase and Read

– V = 12V for fast Program (optional)

■ MULTIPLEXED ADDRESS/DATA

■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

– Configurable Burst mode Read

– Page mode Read (4 Words Page)

– Random Access: 100ns

BGA

µBGA

µBGA46 (GC)

10 x 4 ball array

LFBGA54 (ZC)

10 x 4 ball array

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs by Word typical

– Double Word Programming Option

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 8 Mbit - 24 Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

■ DUAL BANK OPERATIONS

Figure 1. Logic Diagram

– Read within one Bank while Program or

Erase within the other

DD DDQ PP

– No delay between Read and Write operations

■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION

– All Blocks protected at Power-up

A16-A20

ADQ0-ADQ15

– Any combination of Blocks can be protected

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

■ 64 bit SECURITY CODE

WAIT

BINV

M59MR032C

M59MR032D

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M59MR032C: A4h

– Bottom Device Code, M59MR032D: A5h

AI90109

April 2001

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M59MR032C100ZC6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M59MR032C120GC6	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 18ns, PBGA46, 0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46
M59MR032C120GC6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M59MR032C120GC6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 18ns, PBGA46, 0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46
M59MR032C120ZC6	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 18ns, PBGA54, 0.50 MM PITCH, LFBGA-54
M59MR032C120ZC6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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