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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SIMM, SSIM72 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 50 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PSMA-N72 | 内存密度： | 150994944 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 36 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SSIM72 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.33 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M53640404BZ0-C600 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, PSMA72 |
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| M53640405BT0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640405BT0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640405BY0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640410DB0-C50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640412CW0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SOLDER, SIMM-72 |
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| M53640800DB0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640800DW0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640800DW0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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| M53640810CB0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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