生命周期: | Active | 包装说明: | SIMM, SSIM72 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 60 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PSMA-N72 | 内存密度: | 1207959552 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 36 |
端子数量: | 72 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大待机电流: | 0.024 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1.224 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M53613201CJ0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53613201CJ0-C60 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620400CB0-C60 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620400DB0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620400DW0-C60 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620410DB0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620410DW0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620410DW0-C60 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620412CW0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53620412DB0-C50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 |