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M53613201CEO-C60

更新时间: 2024-11-11 20:04:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 417K
描述
Fast Page DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, PSMA72,

M53613201CEO-C60 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.75
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72内存密度:1207959552 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:36
端子数量:72字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.024 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.224 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

M53613201CEO-C60 数据手册

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DRAM MODULE  
M53613201CE0/CJ0-C  
4Byte 32Mx36 SIMM  
(16Mx4 & 16Mx1 base)  
Revision 0.0  
June 1999  

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