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M53631601CE0-C60

更新时间： 2024-09-17 19:37:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	443K
描述
EDO DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72

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M53631601CE0-C60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIMM	包装说明：	SIMM, SSIM72
针数：	72	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大待机电流：	0.012 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M53631601CE0/CJ0-C

4Byte 16Mx36 SIMM

(16Mx4 & 16Mx1 base)

Revision 0.0

June 1999

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M53631601CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53631601CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53633200BB0-C600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, PSMA72,
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M53633200BW0-C600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, PSMA72,
M53633201BE0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53633201BE0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53633201BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53633201BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53633201CE0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72