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M53620410DB0-C50

更新时间： 2024-11-12 10:36:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 280K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72

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M53620410DB0-C50 数据手册

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Preliminary  
M53620400DW0/DB0  
M53620410DW0/DB0  
DRAM MODULE  
M53620400DW0/DB0 & M53620410DW0/DB0 with Fast Page Mode  
4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung M5362040(1)0D is a 4Mx36bits Dynamic RAM  
high density memory module. The Samsung M5362040(1)0D  
consists of eight CMOS 4Mx4bits DRAMs in 24-pin SOJ pack-  
age and one CMOS 4Mx4 bit Quad CAS DRAM in 28-pin SOJ  
package mounted on a 72-pin glass-epoxy substrate. A 0.1 or  
0.22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit  
board for each DRAM. The M5362040(1)0D is a Single In-line  
Memory Module with edge connections and is intended for  
mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- M53620400DW0-C(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Solder)  
- M53620400DB0-C(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Gold)  
- M53620410DW0-C(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Solder)  
- M53620410DB0-C(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Gold)  
• Fast Page Mode Operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
PERFORMANCE RANGE  
• JEDEC standard PDPin & pinout  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
• PCB : Height(1000mil), single sided component  
-50  
90ns  
110ns  
-60  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
A0 - A11  
Function  
Address Inputs(4K Ref)  
Address Inputs(2K Ref)  
Data In/Out  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
DQ17  
DQ35  
Vss  
A0 - A10  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
Res(RAS1)  
NC  
DQ0 - DQ35  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0  
9
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ9  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
A3  
A4  
A5  
A6  
Vss  
Ground  
NC  
No Connection  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
A11  
Vcc  
A8  
A9  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
* Pin connection changing available  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
Res(RAS1)  
RAS0  
DQ26  
DQ8  
* NOTE : A11 is used for only M53620400DW0/DB0(4K ref.)  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M53620410DW0-C50 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 4MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53620410DW0-C60 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53620412CW0-C50 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53620800CB0-C60 SAMSUNG

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