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M471B5673GB0-CF8

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
37页	1085K
描述
DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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M471B5673GB0-CF8 数据手册

Rev. 1.1

Unbuffered SODIMM

datasheet

DDR3 SDRAM

17.2 128Mbx8 based 256Mx64 Module (2 Ranks) - M471B5673GB0

Units : Millimeters

0.10 M C A B

63.60

67.60

Max 3.8

1.00 ± 0.10

24.80

21.00

39.00

2X 1.80

0.10 M C A B

(OPTIONAL HOLES)

2X 4.00 ± 0.10

0.10 M C A B

0.60

0.45 ± 0.03

1.65

4.00 ± 0.10

2.55

0.25 MAX

1.00 ± 0.10

Detail A

Detail B

The used device is 128M x8 DDR3 SDRAM, FBGA.

DDR3 SDRAM Part NO : K4B1G0846G - BC**

* NOTE : Tolerances on all dimensions ±0.15 unless otherwise specified.

- 37 -

1...34 35 3637

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M471B5673GB0-CH9	SAMSUNG	DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204	获取价格
M471B5673GB0-CK0	SAMSUNG	DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204	获取价格
M471B5773CHS	SAMSUNG	DDR3 SDRAM Memory	获取价格
M471B5773CHS-CH9	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 256MX8, 0.25ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204	获取价格
M471B5773DH0-CH9	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 256MX64, 0.255ns, CMOS, SODIMM-204	获取价格
M471B5773DH0-CMA	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 256MX64, 0.195ns, CMOS, SODIMM-204	获取价格