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M471B6474DZ1-CF7

更新时间： 2024-01-02 05:17:07

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	805K
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204

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M471B6474DZ1-CF7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIMM, DIMM204,24	针数：	204
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N204
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM204,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.04 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M471B6474DZ1-CF7 数据手册

Unbuffered SoDIMM

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM Specification

204pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb D-die

64-bit Non-ECC

82FBGA with Lead-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.2 August 2008

12 3 4 5 6 7...45

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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