Datasheet > M470T3354BZ0-CCC

M470T3354BZ0-CCC

更新时间： 2024-11-20 19:40:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	328K
描述
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M470T3354BZ0-CCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.69	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	JESD-609代码：	e1
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	250
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M470T3354BZ0-CCC 数据手册

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die

64bit Non-ECC

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.5 Aug. 2005

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与M470T3354BZ0-CCC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M470T3354BZ0-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ0-LCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ0-LD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ0-LD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BZ3-CCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ3-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ3-LCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ3-LD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ3-LD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354CZ0-CC	SAMSUNG	获取价格	DDR2 Unbuffered SODIMM

与M470T3354BZ0-CCC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T3354BZ0-CCC

M470T3354BZ0-CCC 技术参数

M470T3354BZ0-CCC 数据手册

与M470T3354BZ0-CCC相关器件

与M470T3354BZ0-CCC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T3354BZ0-CCC

M470T3354BZ0-CCC 技术参数

M470T3354BZ0-CCC 数据手册

与M470T3354BZ0-CCC相关器件

与M470T3354BZ0-CCC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？