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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SODIMM |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX64 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470T3354CZ0-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-CE7 | SAMSUNG |
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DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-CF7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 32MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T3354CZ0-CLCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-CLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-CLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-CLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-D5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM |
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| M470T3354CZ0-E6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM |
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| M470T3354CZ0-LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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