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M470T3354CZ0-LD5

更新时间： 2024-11-20 19:48:39

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	355K
描述
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470T3354CZ0-LD5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.69	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	JESD-609代码：	e1
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M470T3354CZ0-LD5 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die

64bit Non-ECC

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.6 March 2007

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