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M470T3354CZ0-LCC

更新时间: 2024-11-20 13:10:07
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三星 - SAMSUNG 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
20页 271K
描述
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

M470T3354CZ0-LCC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SODIMM包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.7访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XZMA-N200内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:32MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:1.08 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

M470T3354CZ0-LCC 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2 Unbuffered SODIMM  
200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die  
64bit Non-ECC  
Revision 1.1  
March 2005  
Rev. 1.1 Mar. 2005  

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