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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM184 |
| 针数： | 184 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 184 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM184 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M368L3324BT | SAMSUNG | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit N |
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| M368L3324BTM-CA2 | SAMSUNG | DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M368L3324BTM-CB3 | SAMSUNG | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit N |
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| M368L3324BTM-CCC | SAMSUNG | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit N |
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| M368L3324BTM-LA2 | SAMSUNG | DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M368L3324BTM-LB3 | SAMSUNG | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit N |
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