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M368L3324DUS-CB3

更新时间： 2024-01-23 05:30:32

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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25页	462K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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M368L3324DUS-CB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184	针数：	184
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
长度：	133.35 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	2.47 mm
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.52 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	31.75 mm
Base Number Matches：	1

M368L3324DUS-CB3 数据手册

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die

with 64/72-bit Non ECC/ECC

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 0.1 June 2005

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M368L3324DUS-LB3	SAMSUNG	获取价格	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit N
M368L3324DUS-LCC	SAMSUNG	获取价格	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit N
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