是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | 长度: | 133.35 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 2.47 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1.52 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 31.75 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M368L3324DUS-LCC | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit N | |
M368L5623MTN | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Unbuffered Module | |
M368L5623MTN-CA2 | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Unbuffered Module | |
M368L5623MTN-CB0 | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Unbuffered Module | |
M368L5623MTN-CB3 | SAMSUNG |
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DDR SDRAM Unbuffered Module | |
M368L6423BT0-LA2 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
M368L6423BT1-CB0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
M368L6423CT1-CA0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 | |
M368L6423CT1-CB0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
M368L6423CT1-CB3 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 |