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M368L3324BTM-LA2

更新时间: 2024-01-13 06:24:40
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 442K
描述
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

M368L3324BTM-LA2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184JESD-609代码:e0
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):230电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:1.44 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

M368L3324BTM-LA2 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM Unbuffered Module  
184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die  
with 64/72-bit ECC/Non ECC  
Revision 0.1  
August. 2003  
Rev. 1.0 August. 2003  

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