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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDMA-N168 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM168 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.5 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M366S0424CTS-C1H0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, PDMA168, |
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| M366S0424CTS-C1L | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M366S0424CTS-C80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M366S0424DTS-C1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M366S0424DTS-C80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M366S0424ETS-C7A | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M366S0424FTS-C1H | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| M366S0823DT0-C1H | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
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| M366S0823DT0-C80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
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| M366S0823DTS | SAMSUNG |
获取价格 |
PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(64Mb D-die base) |
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