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M364E1600BJ0-C50

更新时间： 2024-09-14 20:50:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	480K
描述
EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168

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M364E1600BJ0-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大待机电流：	0.03 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M364E160(8)0BJ(T)0-C

Buffered 16Mx64 DIMM

(16Mx4 base)

Revision 0.1

June 1998

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M364E1600BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600BT0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600BT0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600CT0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1600CT0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168